[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201910422490.7 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110783405A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王菘豊;卡迪尔巴德·姆鲁尼尔;奥野泰利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金层 第一侧壁 半导体鳍片 第二侧壁 磊晶层 接触栓塞 半导体元件 金属元素 向下延伸 不平行 基材 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：
一第一半导体鳍片，位于一基材上；
一第一磊晶层，位于该第一半导体鳍片上；
一第一合金覆盖结构，位于该第一磊晶层上方，其中该第一合金覆盖结构的材质包含一或多个IV族元素以及一或多个金属元素，且该第一合金覆盖结构包含一第一侧壁以及一第二侧壁，该第二侧壁自该第一侧壁的一底部沿着不平行于该第一侧壁的一方向向下延伸；以及
一接触栓塞，接触于该第一合金覆盖结构的该第一侧壁以及该第二侧壁接触栓塞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910422490.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
