[发明专利]一种MEMS结构的制备方法有效
| 申请号： | 201910415714.1 | 申请日： | 2019-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110149582B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R17/02 | 分类号： | H04R17/02;H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市合肥市高新区习友路33*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种制造MEMS(微机电系统)结构的方法，包括：在衬底的正面上蚀刻形成多条平行的第一凹槽，在衬底上沉积形成压电复合振动层，其中，在第一凹槽的底部和侧壁上形成的压电复合振动层构成波纹部分，其中，波纹部分形成在压电复合振动层的整个表面区域上；在压电复合振动层的外围，在露出的衬底上蚀刻形成第二凹槽；蚀刻衬底的背面以形成空腔，第二凹槽邻近设置在空腔的外围，压电复合振动层形成在空腔正上方，并且，位于第二凹槽与空腔之间的部分的衬底支撑压电复合振动层。制造所得到的MEMS结构提高了压电复合振动层在声压作用下的位移和形变，降低了残余应力，进而提高了MEMS结构的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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