[发明专利]存储器装置与其编程方法有效

专利信息
申请号: 201910409284.2 申请日: 2019-05-16
公开(公告)号: CN111599398B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 刘亦峻 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/12 分类号: G11C16/12;G11C16/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种存储器装置与其编程方法,该存储器装置(memory device)包括存储单元阵列(memory cell array)和存储器控制器(memory controller)。存储单元阵列包括多个存储区块(memory blocks)。各这些存储区块包括多条字线(Word lines)。多个记忆块(memory chunks)耦接到这些字线的至少其中之一。存储器控制器架构成通过执行块操作(chunk operation)将数据编程至多个记忆块的特定记忆块(particular memory chunk),该块操作包括从多条字线中选择特定字线(particular word line),从耦接到特定字线的多个记忆块中选择特定记忆块,并将编程电压施加到对应于特定记忆块的特定存储区块(particular memory block),以将数据编程到特定记忆块。
搜索关键词: 存储器 装置 与其 编程 方法
【主权项】:
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