[发明专利]一种CVD设备在审
| 申请号： | 201910408927.1 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110158053A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 檀长兵 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;H01R4/64;H01R11/01;H01R11/05;H05F3/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 康艳艳 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CVD设备，包括：基座；接地带，连接在所述基座与设备底部接地端之间，所述接地带的至少一端设有连接孔；固定装置，适于固定在所述基座和/或所述接地端上，所述固定装置包括第一夹具，所述第一夹具上具有至少两个定位柱，所述接地带通过所述连接孔穿设在所述定位柱上；第二夹具，与所述第一夹具相对设置，所述第二夹具上具有与所述至少两个定位柱相适配的至少两个定位孔，所述定位柱与所述定位孔配合将所述接地带的端部夹设在所述第一夹具与所述第二夹具之间。通过定位柱和定位孔进行接地带的定位安装，减少了安装时间，且定位后再安装不易出现安装偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 夹具 定位柱 接地带 定位孔 固定装置 接地端 连接孔 安装偏移 定位安装 相对设置 适配 配合 | ||
【主权项】：
1.一种CVD设备，其特征在于，包括：基座；接地带，连接在所述基座与设备底部接地端之间，所述接地带的至少一端设有连接孔；固定装置，适于固定在所述基座和/或所述接地端上，所述固定装置包括第一夹具，所述第一夹具上具有至少两个定位柱，所述接地带通过所述连接孔穿设在所述定位柱上；第二夹具，与所述第一夹具相对设置，所述第二夹具上具有与所述至少两个定位柱相适配的至少两个定位孔，所述定位柱与所述定位孔配合将所述接地带的端部夹设在所述第一夹具与所述第二夹具之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910408927.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低介电常数膜及其制备方法
- 下一篇：一种流化床制备钛金属涂层的系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
