[发明专利]一种测量介质材料二次电子发射系数的方法

摘要

本发明公开了一种测量介质材料二次电子发射系数的方法，其步骤包括：1)将待测介质材料放置在金属样品台上；将金属样品台、栅网、收集极的输出端口与采集装置输入端口连接，且金属样品台、栅网所施加电压与电子枪出射口电压相同，收集极电位高于金属样品台电位；2)调整电子枪参数，使电子束斑的照射金属样品台表面，并持续照射设定时间；3)将电子枪出射的电子能量调节至需要测试的能量，将初级电子束的照射位置调节至介质材料表面，使电子枪发射脉冲电子束，测量并计算金属样品台、栅网、收集极各通路脉冲电流I1、I2、I3；通过公式δ＝(I2+I3)/(I1+I2+I3)计算当前电子入射能量下介质材料的二次电子发射系数δ。

主权项

1.一种测量介质材料二次电子发射系数的方法，其步骤包括：1)将待测介质材料放置在金属样品台上，将该金属样品台升入收集极中并对真空腔体抽真空；2)将金属样品台、栅网、收集极的输出端口与电信号采集装置输入端口连接，且金属样品台、栅网所施加电压与电子枪出射口电压相同，收集极电位高于金属样品台电位设定值；3)调整电子枪参数，使电子束斑照射位置为金属样品台表面，使电子枪发射电子束并持续照射设定时间，从而用金属样品台产生的低能二次电子对介质材料表面的正电荷进行充分中和；4)将电子枪出射的电子能量调节至需要测试的能量，将电子枪出射的初级电子束的照射位置调节至介质材料表面，并将电子枪的工作状态调节为脉冲工作模式；5)使电子枪发射脉冲电子束，测量并计算金属样品台、栅网、收集极各通路脉冲电流，即金属样品台脉冲电流I₁、栅网脉冲电流I₂、收集极脉冲电流I₃；6)通过公式δ＝(I₂+I₃)/(I₁+I₂+I₃)计算当前电子入射能量下，该介质材料的二次电子发射系数δ；7)改变入射电子能量，重复步骤3)～6)，直到所有待测量的入射能量下的二次电子发射系数均测量完毕为止。