[发明专利]一种非易失存储器读处理方法及装置有效
| 申请号： | 201910399742.9 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111951869B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张晓伟;同亚娜 | 申请（专利权）人： | 兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/08;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种非易失存储器读处理方法及装置，该方法包括：在对所述待处理存储块执行读操作时，确定选中的目标字线；确定所述待处理存储块中边沿字线的导通阈值电压；其中，所述边沿字线为所述待处理存储块中的起始字线，和/或，末尾字线；对所述目标字线施加第一电压，且，对所述边沿字线施加第二电压；其中，所述第二电压大于所述第一电压，且所述第二电压与所述导通阈值电压的电压差不大于预设电压值。本发明实施例对边沿字线施加的电压只是确保该边沿字线导通的较低电压，可以理解，该第二电压较低时，边沿字线与该边沿字线中没有字线相邻的一侧的压差就小，电子活动就会较小，因此能减少由边沿字线的引起的Read Disturb。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司，未经兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910399742.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种非易失存储器读处理方法及装置
- 下一篇：一种高效真空冷阱
