[发明专利]一种石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法在审
| 申请号: | 201910399396.4 | 申请日: | 2019-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN110176505A | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
| 发明(设计)人: | 吕晓伟;孙小华;黄妞;孙盼盼 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
| 地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了一种石墨相氮化碳薄膜电极制备方法:将三聚氰胺、双氰胺、或氰胺原料与三聚氰酸混合并研磨均匀作为前驱体,然后将其均匀平铺于耐热载体底部;将基底直接平放在前驱体之上并用锡纸等材料包裹,然后将耐热载体放在加热装置中;在气氛保护下,将加热装置升温至500‑600℃并保持10min‑5h后冷却至室温。即可得石墨相氮化碳薄膜电极。采用本方法制备的氮化碳薄膜具有均匀性好,重复性好且厚度可控等优点。 | ||
| 搜索关键词: | 氮化碳薄膜 石墨相 加热装置 耐热载体 前驱体 电极 制备 材料包裹 电极制备 厚度可控 均匀平铺 均匀性好 气氛保护 三聚氰胺 三聚氰酸 锡纸 研磨 后冷却 双氰胺 基底 氰胺 并用 | ||
【主权项】:
1.一种石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)将三聚氰胺与三聚氰酸混合并研磨均匀后作为前驱体,然后将前驱体均匀平铺于耐热载体底部;(2)将基底直接平放在步骤(1)的前驱体之上,锡纸材料包裹后将耐热载体放在加热装置中;(3)气氛保护下,将加热装置升温至500‑600℃保持10min‑5h后冷却至室温,即可得石墨相氮化碳薄膜电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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