[发明专利]一种石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法在审
| 申请号： | 201910399396.4 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110176505A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吕晓伟;孙小华;黄妞;孙盼盼 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化碳薄膜 石墨相 加热装置 耐热载体 前驱体 电极 制备 材料包裹 电极制备 厚度可控 均匀平铺 均匀性好 气氛保护 三聚氰胺 三聚氰酸 锡纸 研磨 后冷却 双氰胺 基底 氰胺 并用 | ||
【权利要求书】：
1.一种石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）将三聚氰胺与三聚氰酸混合并研磨均匀后作为前驱体，然后将前驱体均匀平铺于耐热载体底部；
（2）将基底直接平放在步骤（1）的前驱体之上，锡纸材料包裹后将耐热载体放在加热装置中；
（3）气氛保护下，将加热装置升温至500-600℃保持10min-5h后冷却至室温，即可得石墨相氮化碳薄膜电极。
2.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的三聚氰胺与三聚氰酸的质量比为1：0.3-0.6。
3.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的三聚氰胺还可替换为双氰胺、氰胺。
4.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的耐热载体包括坩埚、瓷舟、或石英舟。
5.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的基底材料包括玻璃、氟掺杂的氧化锡（FTO）、或钛片。
6.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的热处理气氛包括N2、Ar或空气。
7.根据权利要求1所述的石墨相氮化碳薄膜电极的制备方法，其特征在于：所述的升温速率为2～10℃/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
