[发明专利]一种闪存器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910394766.5 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110047943B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件的制造方法，衬底上形成有浮栅层以及浮栅层上的图案化的栅堆叠层，栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，栅堆叠层一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，在栅堆叠层的侧壁上可以形成侧墙，沿横向去除字线区的部分厚度的侧墙，使字线区的侧墙和擦除栅区的侧墙厚度不一致，以侧墙及栅堆叠层为掩蔽，进行浮栅层的刻蚀，以形成浮栅，沿横向去除擦除栅区部分厚度的侧墙，这样，得到的浮栅层在擦除栅区保留较多且伸出侧墙一部分，从而得到非对称结构的浮栅层，简化形成浮栅的工艺流程，降低器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有浮栅层，所述浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述栅堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙；沿横向去除所述字线区部分厚度的侧墙；以侧墙及所述栅堆叠层为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀，以形成浮栅；沿横向去除所述擦除栅区部分厚度的侧墙。
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