[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 201910392650.8 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110491799A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 池田义谦;梅﨑翔太;西健治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够削减处理基片时气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一方式的基片处理装置包括基片保持部、顶板部、气体供给部、处理液喷嘴和臂。基片保持部用于保持基片。顶板部与保持于基片保持部的基片相对地设置，至少在与基片的中心对置的位置形成有贯通孔。气体供给部对基片保持部与顶板部之间的空间供给用于调节气氛的气氛调节气体。处理液喷嘴将用于处理基片的处理液排出到基片。臂保持处理液喷嘴，并使该处理液喷嘴在将处理液从处理液喷嘴经由贯通孔排出的处理位置与比基片靠外的待机位置之间移动。 | ||
| 搜索关键词： | 处理液喷嘴 基片保持部 顶板部 气体供给部 气氛调节 处理液 贯通孔 排出 基片处理装置 处理位置 待机位置 靠外的 对置 削减 移动 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n用于保持基片的基片保持部；/n顶板部，其与保持于所述基片保持部的所述基片相对地设置，至少在与所述基片的中心对置的位置形成有贯通孔；/n气体供给部，其对所述基片保持部与所述顶板部之间的空间供给用于调节气氛的气氛调节气体；/n处理液喷嘴，其将用于处理所述基片的处理液排出到所述基片；和/n臂，其保持所述处理液喷嘴，并使所述处理液喷嘴在将所述处理液从所述处理液喷嘴经由所述贯通孔排出的处理位置与比所述基片靠外的待机位置之间移动。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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