[发明专利]半导体激光发生装置有效

专利信息
申请号: 201910386994.8 申请日: 2019-05-10
公开(公告)号: CN110137798B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 陶桦 申请(专利权)人: 华科微磁(北京)光电技术有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 北京智沃律师事务所 11620 代理人: 梁晨
地址: 100043 北京市石景山区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种半导体激光发生装置,包括激光器、温度传感器、热沉、电加热片、温度测量单元和温度控制单元;所述热沉层叠在激光器与电加热片之间,所述热沉的相对的两侧表面分别与激光器和电加热片紧密贴合,所述电加热片与温度控制单元电连接。这种半导体激光发生装置取消具有强磁性的TEC温度控制模块,温度测量单元采用高频交流信号激励温度传感器,避免温度测量时产生低频交流感应磁场,温度控制单元采用高频交流信号驱动电加热片,避免温度控制时产生低频交流感应磁场,确保激光光源自身不引入磁场偏置和磁场噪声,提高传感器的精度,达到量子传感器等对磁场敏感的领域应用要求。
搜索关键词: 半导体 激光 发生 装置
【主权项】:
1.一种半导体激光发生装置,其特征在于,包括激光器、温度传感器、热沉、电加热片、温度测量单元和温度控制单元;所述热沉层叠在激光器与电加热片之间,所述热沉的相对的两侧表面分别与激光器和电加热片紧密贴合,所述电加热片与温度控制单元电连接;所述温度传感器与激光器紧密贴合并且与所述温度测量单元电连接,所述温度传感器的输出端还与温度控制单元电连接;所述温度测量单元通过高频交流信号激励所述温度传感器,所述温度控制单元通过高频交流信号驱动所述电加热片。
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