[发明专利]一种自支撑微米铜箔的制备方法在审
| 申请号： | 201910377038.3 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110004404A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 晏梦雨;周旸 | 申请（专利权）人： | 晏梦雨;周旸 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/14;C23C14/24;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自支撑微米铜箔的制备方法，该方法制备的铜箔厚度为0.1–5微米,铜箔材料自身具备一定的强度，无需基底支撑，可以自支撑使用。该自支撑微米铜箔可用于但不限于微电子器件（如手机，电脑）的电磁屏蔽，电池负极材料集流体。所述自支撑微米铜箔的制备方法，其特征在于以下步骤：将具有牺牲层的基底材料、金属铜靶材置于真空环境，通过热蒸发溅射或磁控溅射的方法，在上述基底材料沉积形成厚度为0.1–5微米的金属铜薄膜。通过腐蚀的方法，去除基底材料的牺牲层，得到自支撑的微米厚度铜箔。本发明所获得的自支撑铜箔厚度较薄，具有体积小重量轻强度高的特点，若用于电子元器件，可减少原材料需求量，降低器件整体体积和重量；若用于电池负极集流体，可降低电池重量，提升电池质量能量密度和体积能量密度。 | ||
| 搜索关键词： | 自支撑 微米铜箔 制备 基底材料 铜箔 集流体 牺牲层 电池 电池负极材料 电子元器件 金属铜薄膜 微电子器件 磁控溅射 电池负极 电磁屏蔽 基底支撑 降低器件 体积能量 铜箔材料 真空环境 质量能量 金属铜 热蒸发 体积小 重量轻 靶材 沉积 溅射 可用 去除 手机 需求量 腐蚀 电脑 | ||
【主权项】：
1.一种自支撑微米铜箔的制备方法，其制作步骤为，将具有牺牲层的基底材料和金属铜靶材置于真空环境，通过热蒸发溅射或磁控溅射的方法，在上述基底材料上沉积，形成微米级厚度的金属铜薄膜；随后，将基底从真空环境中移出，对所获得的铜箔（含基底）进行退火处理；之后，使用液相腐蚀或气相腐蚀的方法，去除基底材料和铜箔间的牺牲层，得到微米厚度铜箔，最后根据需求并对铜箔进行分切加工。
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