[发明专利]纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法在审
| 申请号： | 201910374321.0 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110737171A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 段天利;王尧;张锐;马续航;王春柱;瞿学选 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 潘霞;易皎鹤 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法。该纳米图形的制备方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及电子束抗蚀剂层进行电子束曝光，得到纳米图形，其中，电子束曝光的曝光剂量为1C/m | ||
| 搜索关键词： | 纳米图形 电子束抗蚀剂 制备 电子束曝光 纳米结构 曝光剂量 衬底 上旋 | ||
【主权项】：
1.一种纳米图形的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，所述电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及/n对所述电子束抗蚀剂层进行电子束曝光及显影，得到所述纳米图形，其中，所述电子束曝光的曝光剂量为1C/m
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