[发明专利]纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法

说明书

本发明涉及一种纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法。该纳米图形的制备方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及电子束抗蚀剂层进行电子束曝光，得到纳米图形，其中，电子束曝光的曝光剂量为1C/m²～5C/m²。按照上述纳米图形的制备方法能够实现10纳米以下的纳米图形的制备。

技术领域

本发明涉及纳米加工技术领域，特别是涉及一种纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法。

背景技术

电子束光刻技术是推动微电子和微细加工发展的关键技术，尤其在先进掩模制造和纳米加工领域中起到不可替代的作用。

虽然电子束光刻技术可以通过软件设计任意形状的图形，可以制备纳米级的图形。然而采用电子束光刻技制备宽度或间隙在10纳米以下的图形仍然存在困难。

发明内容

基于此，有必要提供一种10纳米以下的纳米图形的制备方法。

此外，还提供一种纳米图形及纳米结构的制备方法。

一种纳米图形的制备方法，包括以下步骤：

在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，所述电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及

对烘烤后的所述电子束抗蚀剂层进行电子束曝光，得到所述纳米图形，其中，所述电子束曝光的曝光剂量为1C/m²～5C/m²。

上述纳米图形的制备方法，经过对电子束抗蚀剂层的厚度、曝光参数、烘烤温度和显影时间的设计，能够实现10纳米以下的纳米图形的制备。

在其中一个实施例中，所述电子束抗蚀剂选自AR-P6200及ZEP520中的一种。

在其中一个实施例中，在所述在衬底上旋涂电子束抗蚀剂的步骤之前，还包括清洗及烘烤所述衬底的步骤。

在其中一个实施例中，所述清洗及烘烤所述衬底的步骤包括：

用SC1清洗液及SC2清洗液清洗所述衬底；所述SC1清洗液包括NH₄OH、H₂O₂及水，所述SC1清洗液中NH₄OH、H₂O₂及水的体积之比为1：1：5～10；所述SC2清洗液包括HCl、H₂O₂及水。所述SC2清洗液中HCl、H₂O₂及水的体积之比为1：1：5～10；及

烘烤清洗后的所述衬底。

在其中一个实施例中，所述烘烤清洗后的所述衬底的步骤中，所述烘烤为热板烘烤，所述烘烤的温度为120℃～180℃，所述烘烤的时间为1min～30min。

在其中一个实施例中，在所述对所述电子束抗蚀剂层进行电子束曝光及显影的步骤之前，还包括烘烤所述电子束抗蚀剂层的步骤。

在其中一个实施例中，所述烘烤所述电子束抗蚀剂层的步骤中，所述烘烤为热板烘烤，所述烘烤的温度为120℃～170℃，所述烘烤的时间为1min～30min。

在其中一个实施例中，在所述对所述电子束抗蚀剂层进行电子束曝光及显影的步骤中，所述显影的显影剂为AR 600-546，所述显影的时间为1min～10min。

一种纳米图形，由权利要求1～8任一项所述的纳米图形的制备方法制得。

上述纳米图形在制备射频器件或制备光电探测器件中的应用。

一种纳米结构的制备方法，包括如下步骤：