[发明专利]纳米图形及其制备方法、纳米结构的制备方法在审
| 申请号： | 201910374321.0 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110737171A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 段天利;王尧;张锐;马续航;王春柱;瞿学选 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 潘霞;易皎鹤 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米图形 电子束抗蚀剂 制备 电子束曝光 纳米结构 曝光剂量 衬底 上旋 | ||
1.一种纳米图形的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上旋涂电子束抗蚀剂，得到电子束抗蚀剂层；其中，所述电子束抗蚀剂层的厚度为50nm～110nm；及
对所述电子束抗蚀剂层进行电子束曝光及显影，得到所述纳米图形，其中，所述电子束曝光的曝光剂量为1C/m2～5C/m2。
2.根据权利要求1所述的纳米图形的制备方法，其特征在于，所述电子束抗蚀剂选自AR-P6200及ZEP520中的一种。
3.根据权利要求1所述的纳米图形的制备方法，其特征在于，在所述在衬底上旋涂电子束抗蚀剂的步骤之前，还包括清洗及烘烤所述衬底的步骤。
4.根据权利要求3所述的纳米图形的制备方法，其特征在于，所述清洗及烘烤所述衬底的步骤包括：
用SC1清洗液及SC2清洗液清洗所述衬底；所述SC1清洗液包括NH4OH、H2O2及水，所述SC1清洗液中NH4OH、H2O2及水的体积之比为1：1：5～10；所述SC2清洗液包括HCl、H2O2及水；所述SC2清洗液中HCl、H2O2及水的体积之比为1：1：5～10；及
烘烤清洗后的所述衬底。
5.根据权利要求4所述的纳米图形的制备方法，其特征在于，所述烘烤清洗后的所述衬底的步骤中，所述烘烤为热板烘烤，所述烘烤的温度为120℃～180℃，所述烘烤的时间为1min～30min。
6.根据权利要求1～5任一项所述的纳米图形的制备方法，其特征在于，在所述对所述电子束抗蚀剂层进行电子束曝光及显影的步骤之前，还包括烘烤所述电子束抗蚀剂层的步骤。
7.根据权利要求6所述的纳米图形的制备方法，其特征在于，所述烘烤所述电子束抗蚀剂层的步骤中，所述烘烤为热板烘烤，所述烘烤的温度为120℃～170℃，所述烘烤的时间为1min～30min。
8.根据权利要求1～5任一项所述的纳米图形的制备方法，其特征在于，在所述对所述电子束抗蚀剂层进行电子束曝光及显影的步骤中，所述显影的显影剂为AR 600-546，所述显影的时间为1min～10min。
9.一种纳米图形，其特征在于，由权利要求1～8任一项所述的纳米图形的制备方法制得。
10.权利要求9所述的纳米图形在制备射频器件或制备光电探测器件中的应用。
11.一种纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
以权利要求9所述的纳米图形为掩膜进行刻蚀，得到所述纳米结构。
12.根据权利要求11所述的纳米结构的制备方法，其特征在于，所述纳米结构为射频器件的栅或光电探测器件的纳米线。
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