[发明专利]包括绝缘层的半导体器件在审
| 申请号： | 201910366717.0 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110880474A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李东觉;金玟佑;金奉炫;朴禧影;安瑞珍;李元容 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L23/552;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括：在衬底中限定有源区的沟槽；在沟槽内有源区的底表面和侧表面上的第一绝缘层；第一绝缘层的表面上的屏蔽层，该屏蔽层包括多个间隔开的颗粒；屏蔽层上的第二绝缘层，其中捕获有第一电荷，该多个间隔开的颗粒被配置为集中极性与第二绝缘层中捕获的第一电荷相反的第二电荷；以及在沟槽中第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 绝缘 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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