[发明专利]包括绝缘层的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底中限定有源区的沟槽；

在所述沟槽内所述沟槽的底表面和侧表面上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层的表面上的屏蔽层，所述屏蔽层包括多个间隔开的颗粒；

所述屏蔽层上的第二绝缘层；以及

在所述沟槽中所述第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘层在所述多个颗粒之间与所述第一绝缘层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述屏蔽层包括钨、氮化钛或掺杂有杂质的多晶硅或其组合。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述屏蔽层还包括所述第一绝缘层的底表面和侧表面上的衬层，

其中所述多个颗粒与所述衬层间隔开，并且位于所述第一绝缘层的上侧表面上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述屏蔽层还包括所述第一绝缘层的上侧表面上的衬层，

其中，所述多个颗粒与所述衬层间隔开，并且位于所述第一绝缘层的底表面和侧表面上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

所述有源区上沿第一方向延伸的栅结构；

所述栅结构上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的位线结构；以及

所述有源区的端部上与所述位线结构相邻的存储节点接触部。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括所述有源区上的栅结构，

其中所述栅结构构成P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

8.一种半导体器件，包括：

在衬底中限定有源区的沟槽；

在所述沟槽内所述沟槽的底表面和侧表面上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层的表面上的屏蔽层，所述屏蔽层露出所述第一绝缘层的所述表面的一部分；

所述屏蔽层上的第二绝缘层；以及

在所述沟槽中所述第二绝缘层上的间隙填充绝缘层，

其中所述第一绝缘层在其表面的至少一部分中包括突起。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述突起位于距所述沟槽背对所述衬底的顶端或更小的深度的位置处。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述屏蔽层包括彼此间隔开的多个颗粒。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述多个颗粒中的一些与所述突起接触。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述屏蔽层还包括共形地形成在所述第一绝缘层上的衬层，

其中所述衬层与所述多个颗粒间隔开。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述屏蔽层包括共形地形成在所述第一绝缘层上并与所述突起间隔开的衬层。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述屏蔽层包括共形地形成在所述第一绝缘层上的衬层，并且所述屏蔽层背对所述衬底的顶端与所述突起接触。

15.一种半导体器件，包括：

衬底中的有源区；

限定所述有源区的器件隔离层；

所述有源区和所述器件隔离层上沿第一方向延伸的栅结构；

所述栅结构上沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的位线结构；以及

所述有源区的端部上与所述位线结构相邻的存储节点接触部，

其中，所述器件隔离层包括与所述有源区接触的第一绝缘层、所述第一绝缘层上的屏蔽层以及所述屏蔽层上的第二绝缘层，其中所述屏蔽层包括多个颗粒。