[发明专利]包括绝缘层的半导体器件在审

申请号：	201910366717.0	申请日：	2019-04-30
公开（公告）号：	CN110880474A	公开（公告）日：	2020-03-13
发明（设计）人：	李东觉;金玟佑;金奉炫;朴禧影;安瑞珍;李元容	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L21/762	分类号：	H01L21/762;H01L23/552;H01L27/108;H01L21/8242
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	倪斌
地址：	韩国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	包括绝缘半导体器件
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【说明书】：

一种半导体器件包括：在衬底中限定有源区的沟槽；在沟槽内有源区的底表面和侧表面上的第一绝缘层；第一绝缘层的表面上的屏蔽层，该屏蔽层包括多个间隔开的颗粒；屏蔽层上的第二绝缘层，其中捕获有第一电荷，该多个间隔开的颗粒被配置为集中极性与第二绝缘层中捕获的第一电荷相反的第二电荷；以及在沟槽中第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0106106的优先权权益，其公开内容通过引用全部并入本文。

技术领域

根据示例实施例的器件和方法涉及具有器件隔离层的半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体器件的集成密度增加，半导体器件的部件的设计规则已经减小。例如，在需要大量晶体管的半导体器件中，作为设计规则标准的栅长可能减小。因此，高度缩小的半导体器件的电压和电流特性可能退化。

发明内容

本发明构思的示例实施例旨在提供一种半导体器件，该半导体器件具有被配置为减少或防止在随着半导体器件的集成密度增加而缩小的半导体器件中热电子诱导穿通(HEIP)现象发生的结构。

此外，本发明构思的示例实施例旨在提供一种制造半导体器件的方法，通过该方法，可以在随着半导体器件的集成密度增加而缩小的半导体器件中有效地制造被配置为减少或防止HEIP现象发生的结构。

根据示例实施例，提供了一种半导体器件，包括：在衬底中限定有源区的沟槽；在沟槽内沟槽的底表面和侧表面上的第一绝缘层；第一绝缘层的表面上的屏蔽层，该屏蔽层包括多个间隔开的颗粒；屏蔽层上的第二绝缘层；以及在沟槽中第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。

根据示例实施例，提供了一种半导体器件，包括：在衬底中限定有源区的沟槽；在沟槽内沟槽的底表面和侧表面上的第一绝缘层；第一绝缘层的表面上的屏蔽层，该屏蔽层露出第一绝缘层的表面的一部分；屏蔽层上的第二绝缘层；以及在沟槽中第二绝缘层上的间隙填充绝缘层。第一绝缘层包括在其表面的至少一部分中形成的突起。

根据示例实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底中的有源区；限定有源区的器件隔离层；设置在有源区和器件隔离层上沿第一方向延伸的栅结构；栅结构上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线结构；以及有源区的端部上与位线结构相邻的存储节点接触部。器件隔离层包括与有源区接触的第一绝缘层、第一绝缘层上包括多个颗粒的屏蔽层以及屏蔽层上的第二绝缘层。

附图说明

图1A是根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的一些部件的横截面图。

图1B是示出在图1A中的部分A所示的区域中充有空穴和电子的现象的示意性横截面图。

图1C是示出根据本发明构思的一些实施例的半导体器件的横截面图，作为与图1A进行比较的示例。

图1D是根据本发明构思的另外的实施例的半导体器件的一些部件的横截面图。

图1E和1F是根据本发明构思的另外的实施例的半导体器件的一些部件的横截面图。

图1G至1I是根据本发明构思的一些实施例的图1E的部分B的放大视图。

图1J和1K是根据本发明构思的另外的实施例的半导体器件的一些部件的横截面图。

图2A是根据本发明构思的另外的实施例的半导体器件的一些部件的平面图。

图2B示出了沿图2A的线I-I′、II-II′和III-III′截取的横截面图。

图3是沿图2A的线IV-IV’截取的横截面图。

图4是根据本发明构思的另外的实施例的半导体器件的一些部件的平面图。