[发明专利]一种基于PEALD的紫外减反射薄膜的镀制方法

摘要

一种基于等离子体增强原子层沉积(PEALD)的紫外减反射薄膜的镀制方法，采用类似于熔石英体材料化学反应的原理沉积SiO₂薄膜材料。本发明能够避免溶胶‑凝胶技术(sol‑gel)薄膜稳定性差、电子束沉积(E‑beam deposition)薄膜纳米吸收性缺陷密度高的问题，获得同时具备高稳定性和高激光损伤阈值的高性能紫外减反射薄膜。

主权项

1.一种基于等离子体增强原子层沉积的紫外减反射薄膜的镀制方法，其特征在于，具体步骤如下：1)设定原子层沉积系统的温度、脉冲时间、脉冲序列和等离子体功率参数；2)采用超声方法清洗基片，将基片烘干后装入镀膜机；3)抽取真空至600Pa，控制镀膜机将基片加热至50℃～250℃，恒温30分钟～60分钟；4)采用等离子体增强原子层沉积HfO₂膜层，具体步骤如下：①向原子层沉积反应腔体中通入1.5秒～2秒铪前驱体源脉冲后，用纯度为99.9999％的氮气清洗10秒～19秒，冲掉反应副产物和残留的前驱体源；②向原子层沉积反应腔体中通入10秒～13秒等离子体氧化源脉冲后，用纯度为99.9999％的氮气清洗8秒～10秒，冲掉反应副产物和残留的氧化源；③重复步骤①②，直至HfO₂膜层光学厚度达到设定厚度；5)采用等离子体增强原子层沉积SiO₂膜层，具体步骤如下：④向原子层沉积反应腔体中通入0.1秒～0.7秒硅前驱体源脉冲后，用纯度为99.9999％的氮气清洗10秒～19秒，冲掉反应副产物和残留的前驱体源；⑤向原子层沉积反应腔体中通入10秒～13秒等离子体氧化源脉冲后，用纯度为99.9999％的氮气清洗8秒～10秒，冲掉反应副产物和残留的氧化源；⑥重复步骤④⑤，直至SiO₂膜层光学厚度达到设定厚度。