[发明专利]一种基于PEALD的紫外减反射薄膜的镀制方法

权利要求书

1.一种基于等离子体增强原子层沉积的紫外减反射薄膜的镀制方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)设定原子层沉积系统的温度、脉冲时间、脉冲序列和等离子体功率参数；

2)采用超声方法清洗基片，将基片烘干后装入镀膜机；

3)抽取真空至600Pa，控制镀膜机将基片加热至50℃～250℃，恒温30分钟～60分钟；

4)采用等离子体增强原子层沉积HfO₂膜层，具体步骤如下：

①向原子层沉积反应腔体中通入1.5秒～2秒铪前驱体源脉冲后，用纯度为99.9999％的氮气清洗10秒～19秒，冲掉反应副产物和残留的前驱体源；

②向原子层沉积反应腔体中通入10秒～13秒等离子体氧化源脉冲后，用纯度为99.9999％的氮气清洗8秒～10秒，冲掉反应副产物和残留的氧化源；

③重复步骤①②，直至HfO₂膜层光学厚度达到设定厚度；

5)采用等离子体增强原子层沉积SiO₂膜层，具体步骤如下：

④向原子层沉积反应腔体中通入0.1秒～0.7秒硅前驱体源脉冲后，用纯度为99.9999％的氮气清洗10秒～19秒，冲掉反应副产物和残留的前驱体源；

⑤向原子层沉积反应腔体中通入10秒～13秒等离子体氧化源脉冲后，用纯度为99.9999％的氮气清洗8秒～10秒，冲掉反应副产物和残留的氧化源；

⑥重复步骤④⑤，直至SiO₂膜层光学厚度达到设定厚度。

2.如权利要求1所述的镀制方法，其特征在于，所述的铪前驱体源为(N(CH₃)(C₂H₅))₄Hf或HfCl₄，硅前驱体源为(N(CH₃)₂)₃Si、H₂N(CH₂)₃Si(OC₂H₅)₃或SiCl₄。

3.如权利要求1所述的镀制方法，其特征在于，所述的等离子体氧化源为氧气与氩气的混合等离子体，等离子体功率为2000W～2800W。