[发明专利]一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201910364778.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110143616B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 赵亚娟;李建国;黄剑锋;曹丽云;冯亮亮;冯永强 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C01G47/00 | 分类号： | C01G47/00;B01J27/04 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 俞晓明 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中，将碳布基底平铺于反应舟上方，再将硅片B压盖在碳布基底上，同时还在反应舟的两端留置通气口；将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，将石英玻璃管置于真空管式炉内，然后在惰性气体气氛围下，将真空管式炉内温度升至650‑850℃，保温20‑40min，即得到垂直生长的二硫化铼纳米片。本发明提供的制备方法工艺简单，所制备的三维二硫化铼纳米片作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性，稳定性好。同时由于生长衬底廉价，实验条件可控性好，易于引入实际工业生产当中，因此在绿色化学工业中具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 生长 硫化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中，然后将碳布基底平铺于反应舟上方，再将硅片B压盖在碳布基底上，同时还在反应舟的两端均留置通气口；将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，再将石英玻璃管置于真空管式炉内，然后在惰性气体气氛围下，将真空管式炉内温度升至650‑850℃，保温20‑40min，即在碳布基底上沉积得到垂直生长的二硫化铼纳米片；其中，所述三氧化铼与硫粉的质量比为0.4‑2:100。
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