[发明专利]一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将三氧化铼置于硅片A上后再置于反应舟中，然后将碳布基底平铺于反应舟上方，再将硅片B压盖在碳布基底上，同时还在反应舟的两端均留置通气口；

将硫粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，再将石英玻璃管置于真空管式炉内，然后在惰性气体气氛围下，将真空管式炉内温度升至650-850℃，保温20-40min，即在碳布基底上沉积得到垂直生长的二硫化铼纳米片；

所述真空管式炉内升温速率为30-50℃/min，惰性气体流量为50-100sccm，真空管式炉内气体压强为1×10^-2-10Pa；

其中，所述三氧化铼与硫粉的质量比为0.4-2:100；所述二硫化铼纳米片为三维花瓣状结构，尺寸大小为5-20nm。

2.根据权利要求1所述的垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，硅片A和碳布基底在使用前均经过预处理。

3.根据权利要求2所述的垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，硅片A的预处理步骤如下：

将硅片A分别在无水乙醇、异丙醇和丙酮中超声清洗，干燥后得到预处理硅片。

4.根据权利要求2所述的垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，碳布基底的预处理步骤如下：将碳布基底分别在无水乙醇和去离子水中超声清洗，干燥后得到预处理碳布基底。

5.根据权利要求1所述的垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。

6.根据权利要求1所述的垂直生长的二硫化铼纳米片的制备方法，其特征在于，所述反应舟为刚玉舟，所述反应容器为石英瓦片。