[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910362498.9 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110061023A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 大石周 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及图像传感器及其制造方法。提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：衬底；设置在所述衬底中的多个辐射感测元件，其中每个辐射感测元件用于响应于入射的辐射而生成相应的电荷；以及设置在所述衬底中靠近衬底背面处的溢流漏极，其中所述溢流漏极设置在所述多个辐射感测元件之间，并且用于在所述多个辐射感测元件中的至少一个辐射感测元件所生成的电荷超出饱和电荷容量之后，接收所生成的电荷中超出所述饱和电荷容量的那部分电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 感测元件 图像传感器 电荷 辐射 衬底 饱和电荷 漏极 溢流 衬底背面 入射 制造 响应 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：衬底；设置在所述衬底中的多个辐射感测元件，其中每个辐射感测元件用于响应于入射的辐射而生成相应的电荷；以及设置在所述衬底中靠近衬底背面处的溢流漏极，其中所述溢流漏极设置在所述多个辐射感测元件之间，并且用于在所述多个辐射感测元件中的至少一个辐射感测元件所生成的电荷超出饱和电荷容量之后，接收所生成的电荷中超出所述饱和电荷容量的那部分电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
