[发明专利]一种干法黑硅电池的制备方法

摘要

本发明属于电池片生产技术领域，具体涉及一种干法黑硅电池的制备方法。相较传统干法黑硅电池的制备方法，本发明通过调整RIE的工艺参数，以控制黑硅纳米绒面宽度和深度，降低黑硅表面复合，提升短波光谱响应。同时采用热氧化工艺制备SiO₂膜，SiO₂膜和SiNx膜相辅相成，协同作用于钝化发射极，进一步降低黑硅表面复合，提升开路电压，最终达到提升电池片转换效率的目的。

主权项

1.一种干法黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法的具体工艺步骤如下：(1)、酸腐蚀制绒使用体积比为HF：HNO₃：H₂O＝2:4:3的混合溶液对金刚线多晶硅片进行制绒；(2)、RIE制绒使用成分为SF₆、O₂、Cl₂的混合气体等离子体对制绒后硅片的正表面进行等离子刻蚀，形成微纳米绒面，控制微纳米开孔宽度在300‑400mm，深度在150‑190nm，反射率4‑7％；(3)、RIE后清洗使用体积比为BOE：H₂O₂：H₂O＝1:2:3的混合溶液对RIE后硅片进行绒面优化，反应时间6‑8min，反应温度40℃，然后按顺序进行水洗‑HF洗‑水洗‑HCl洗‑水洗，以去除硅片表面的氧化层或金属杂质，然后甩干；(4)、对经RIE后清洗的黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结，扩散方阻为90‑110Ω/□；(5)、酸腐蚀刻蚀使用体积比为HF：HNO₃：H₂O＝1:8:4的混合溶液对扩散后硅片的背面和侧面进行刻蚀，去除因磷源扩散造成的硅片背面和侧面的PN结，再使用5％浓度的HF去除硅片正面的磷硅玻璃层，后烘干；(6)、热氧化在氧气气氛中对刻蚀后硅片进行热处理，在硅片表面形成一层SiO₂薄膜；(7)、PECVD将经过热氧化的黑硅用自动插片机装入舟内，再将载有满舟的小车推至PECVD设备，然后进行镀膜工艺，镀膜完成后将小车推至冷却房内冷却8～10分钟，然后卸片；(8)、丝网印刷背电极印刷及烘干，背电场印刷及烘干，正电极印刷，烧结，然后分拣即可得到黑硅电池。