[发明专利]一种干法黑硅电池的制备方法

权利要求书

1.一种干法黑硅电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法的具体工艺步骤如下：

(1)、酸腐蚀制绒

使用体积比为HF：HNO₃：H₂O＝2:4:3的混合溶液对金刚线多晶硅片进行制绒；

(2)、RIE制绒

使用成分为SF₆、O₂、Cl₂的混合气体等离子体对制绒后硅片的正表面进行等离子刻蚀，形成微纳米绒面，控制微纳米开孔宽度在300-400mm，深度在150-190nm，反射率4-7％；

(3)、RIE后清洗

使用体积比为BOE：H₂O₂：H₂O＝1:2:3的混合溶液对RIE后硅片进行绒面优化，反应时间6-8min，反应温度40℃，然后按顺序进行水洗-HF洗-水洗-HCl洗-水洗，以去除硅片表面的氧化层或金属杂质，然后甩干；

(4)、对经RIE后清洗的黑硅片的表面进行磷源扩散，制备PN结，扩散方阻为90-110Ω/□；

(5)、酸腐蚀刻蚀

使用体积比为HF：HNO₃：H₂O＝1:8:4的混合溶液对扩散后硅片的背面和侧面进行刻蚀，去除因磷源扩散造成的硅片背面和侧面的PN结，再使用5％浓度的HF去除硅片正面的磷硅玻璃层，后烘干；

(6)、热氧化

在氧气气氛中对刻蚀后硅片进行热处理，在硅片表面形成一层SiO₂薄膜；

(7)、PECVD

将经过热氧化的黑硅用自动插片机装入舟内，再将载有满舟的小车推至PECVD设备，然后进行镀膜工艺，镀膜完成后将小车推至冷却房内冷却8～10分钟，然后卸片；

(8)、丝网印刷

背电极印刷及烘干，背电场印刷及烘干，正电极印刷，烧结，然后分拣即可得到黑硅电池。

2.如权利要求1所述的干法黑硅电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述气体体积比为SF₆:0₂:Cl₂＝8:10:5。

3.如权利要求1所述的干法黑硅电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述刻蚀的工艺参数为：SF₆流量为1120-1600sccm，O₂流量为1400-2000sccm，Cl₂流量为700-1000sccm，压强为25-30帕，速度10-18mm/s。

4.如权利要求1所述的干法黑硅电池的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述热氧化的工艺参数为：O₂流量为2000sccm，温度为620-700℃，时间为10-20min。