[发明专利]具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构

摘要

本发明公开了具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构，属于半导体光电子器件技术领域，包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层和p型GaN层，所述GaN缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层与p型GaN层依次生长在衬底上，所述多量子阱发光层包括多个量子阱层，最上方的所述量子阱层的终端势垒层为N‑I‑P结型异质外延结构，所述N‑I‑P结型异质外延结构依次包括N型GaN层、I型AlxGa1‑xN层与P型GaN层，其中，0≤x≤0.8。本发明可以有效阻挡电子泄漏，提高空穴的注入效率，增加电子与空穴的辐射复合，提高LED的内量子效率和光的输出功率。

主权项

1.具有异质外延NIP结型多量子阱发光层终端的LED结构，其特征在于：包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、未掺杂GaN层(3)、n型GaN层(4)、多量子阱发光层(5)、电子阻挡层(6)和p型GaN层(7)，所述GaN缓冲层(2)、未掺杂GaN层(3)、n型GaN层(4)、多量子阱发光层(5)、电子阻挡层(6)与p型GaN层(7)依次生长在衬底(1)上，所述多量子阱发光层(5)包括多个量子阱层，最上方的所述量子阱层的终端势垒层为N‑I‑P结型异质外延结构，所述N‑I‑P异质外延结构自下而上依次包括N型GaN层(51)、I型Al_xGa_1‑xN层(52)与P型GaN层(53)，所述N型GaN层(51)为第一势阱层，所述I型Al_xGa_1‑xN层(52)为势垒层，所述P型GaN层(53)为第二势阱层，所述I型Al_xGa_1‑xN层(52)位于N型GaN层(51)的上端，所述P型GaN层(53)位于I型Al_xGa_1‑xN层(52)的上端。