[发明专利]一种3D NAND Flash有效
| 申请号： | 201910343544.0 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110046105B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 高帅;侯旭;王颀;霍宗亮;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨华;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D NAND Flash，包括：MCU、总线控制电路、总线和多个寄存器；多个寄存器被预先划分为至少两个寄存器组；任意一个寄存器组具有预设的唯一组地址段，任意一个寄存器在该寄存器所属的寄存器组中，具有预设的唯一局部寻址地址段；任意一个寄存器组通过局部总线与总线控制电路连接；总线控制电路与MCU连接；MCU，用于向总线控制电路发送第一信号；第一信号包括：至少一个寄存器的地址；总线控制电路，用于在接收到第一信号后，向第一信号中的组地址段指示的寄存器组中的寄存器发送第二信号；第一信号中组地址段指示的寄存器组中的寄存器，用于响应所接收到的第二信号。通过本申请公开的技术方案，可以减小总线消耗的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND Flash，其特征在于，包括：MCU、总线控制电路、总线和多个寄存器；所述多个寄存器被预先划分为至少两个寄存器组；任意一个所述寄存器组具有预设的唯一组地址段，任意一个所述寄存器在该寄存器所属的寄存器组中，具有预设的唯一局部寻址地址段；任意一个所述寄存器组通过局部总线与所述总线控制电路连接；所述局部总线为所述总线的一部分；所述总线控制电路与所述MCU连接；所述MCU，用于向所述总线控制电路发送第一信号；所述第一信号包括：至少一个所述寄存器的地址，任意一个所述寄存器的地址包括该寄存器所属的寄存器组的组地址段和该寄存器在所属寄存器组中的局部寻址地址段；所述总线控制电路，用于在接收到所述第一信号后，向所述第一信号中的组地址段指示的寄存器组中的寄存器发送第二信号；发向任意一个寄存器组的第二信号包括：所述第一信号中属于该寄存器组的局部寻址地址段；所述第一信号中组地址段指示的寄存器组中的寄存器，用于响应所接收到的第二信号。
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