[发明专利]一种具有导电DBR的GaN基LED的制备方法有效
| 申请号： | 201910342861.0 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110098295B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张宇;魏斌 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有导电DBR的GaN基LED及其制备方法，属于LED领域，包括衬底，衬底的上表面依次生长有缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上生长制作有多孔导电DBR层，在多孔导电DBR层上表面依次生长有n型半导体层、MQW有源层、p型半导体层和透明导电层；n型掺杂GaN层上表面的裸露部分设有n电极，透明导电层上设有p电极；多孔导电DBR层为制备透明导电层后经电化学腐蚀后形成的交替堆叠的高孔洞率多孔GaN层与低孔洞率多孔GaN层。本发明通过电化学选择性腐蚀形成多孔GaN/GaN导电DBR结构，提高发光二极管产品的发光效率，降低工艺难度和制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电 dbr gan led 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有导电DBR的GaN基LED，其特征在于，包括衬底，所述衬底的上表面依次生长有缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型掺杂GaN层，所述n型掺杂GaN层上表面部分裸露，所述n型掺杂GaN层上生长制作有多孔导电DBR层，在多孔导电DBR层上表面依次生长有n型半导体层、MQW有源层、p型半导体层和透明导电层；所述n型掺杂GaN层上表面的裸露部分设有n电极，所述透明导电层上设有p电极；所述多孔导电DBR层为制备透明导电层后经过电化学腐蚀后形成的交替堆叠的高孔洞率多孔GaN层与低孔洞率多孔GaN层。
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