[发明专利]一种高效大功率电子隔离变压器拓扑

摘要

一种高效大功率电子隔离变压器拓扑，包括IGBT晶体管N1、IGBT晶体管N2、IGBT晶体管N3、IGBT晶体管N4、线圈T1、线圈T2、线圈T3、线圈T4、二极管D1、二极管D2、电容C4，IGBT晶体管N1的集电极与线圈T1的T1‑连接，线圈T1的T1+与IGBT晶体管N2的集电极连接，IGBT晶体管N2的发射极与IGBT晶体管N4的集电极连接，IGBT晶体管N4的发射极与线圈T2的T2‑连接，线圈T2的T2+与IGBT晶体管N3的发射极连接，IGBT晶体管N3的集电极与IGBT晶体管N1的发射极连接，线圈T3的T3+与二极管D1的阳极连接，线圈T4的T4‑与二极管D2的阳极连接，线圈T3的T3‑与线圈T4的T4+连接，二极管D1的阴极与二极管D2的阴极连接，二极管D1的阴极与线圈T3的T3‑通过电容C4连接。本发明损耗更低，节电效果明显。

主权项

1.一种高效大功率电子隔离变压器拓扑，其特征在于：包括IGBT晶体管N1、IGBT晶体管N2、IGBT晶体管N3、IGBT晶体管N4、线圈T1、线圈T2、线圈T3、线圈T4、二极管D1、二极管D2、电容C4，所述IGBT晶体管N1的集电极与所述线圈T1的非同名端T1‑电连接，所述线圈T1的同名端T1+与所述IGBT晶体管N2的集电极电连接，所述IGBT晶体管N2的发射极与所述IGBT晶体管N4的集电极电连接，所述IGBT晶体管N4的发射极与所述线圈T2的非同名端T2‑电连接，所述线圈T2的同名端T2+与所述IGBT晶体管N3的发射极电连接，所述IGBT晶体管N3的集电极与所述IGBT晶体管N1的发射极电连接，所述线圈T3的同名端T3+与所述二极管D1的阳极电连接，所述线圈T4的非同名端T4‑与所述二极管D2的阳极电连接，所述线圈T3的非同名端T3‑与所述线圈T4的同名端T4+电连接，所述二极管D1的阴极与所述二极管D2的阴极电连接，所述二极管D1的阴极与所述线圈T3的非同名端T3‑通过所述电容C4电连接。