[发明专利]一种超薄TEM样品的原位制备方法以及由此得到的超薄TEM薄膜在审
| 申请号： | 201910339551.3 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110133020A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄亚敏;董业民;王秀芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N23/2005 | 分类号： | G01N23/2005;G01N23/04 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 宋丽荣 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超薄TEM样品的原位制备方法，包括如下步骤：S1，在原样品的表面，用离子束刻蚀，做好缺陷的位置标记；S2，参照位置标记进行原样品的粗减薄，得到薄膜样品；S3，进行薄膜样品的精细减薄，得到覆盖有碳保护膜的超薄TEM样品。本发明还提供根据上述的原位制备方法得到的超薄TEM薄膜，其中，超薄TEM薄膜的厚度小于30nm。根据本发明的超薄TEM样品的原位制备方法，其中的碳保护层不影响透射电子成像质量。由于碳保护层的支撑作用，在薄膜减薄过程中，有效避免了超薄样品容易发生的弯曲断裂及剥离问题。 | ||
| 搜索关键词： | 原位制备 薄膜 薄膜样品 碳保护层 位置标记 减薄 离子束刻蚀 碳保护膜 透射电子 支撑作用 粗减薄 成像 断裂 剥离 精细 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种超薄TEM样品的原位制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，在原样品的表面，用离子束刻蚀，做好缺陷的位置标记；S2，参照位置标记进行原样品的粗减薄，得到薄膜样品；S3，进行薄膜样品的精细减薄，得到覆盖有碳保护膜的超薄TEM样品。
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