[发明专利]硅单晶的制造方法及硅单晶的提拉装置有效
| 申请号： | 201910334491.6 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110408991B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 金原崇浩;片野智一 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 殷超;谭祐祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在使用提拉装置制造硅单晶的硅单晶的制造方法中，将在提拉中被导入到提拉装置内的气体从形成在加热器（5）的背面上的中部排气口（16A）排气，所述提拉装置具备：腔室；设置在腔室内的石英坩堝（3A）；和加热器（5），其以将石英坩堝（3A）包围的方式配置，并将石英坩堝（3A）加热。 | ||
| 搜索关键词： | 硅单晶 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶的制造方法，使用提拉装置制造硅单晶，所述提拉装置具备：腔室；石英坩堝，其设置在前述腔室内；和加热器，其以将前述石英坩堝包围的方式配置，并将前述石英坩堝加热，其特征在于，将在提拉中被导入到前述提拉装置内的气体从前述加热器的背面排气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910334491.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
