[发明专利]一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法有效
| 申请号： | 201910333715.1 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110112055B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 史文华;程海英;钮应喜;赵海明;史田超;钟敏;刘锦锦 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱顺利 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，包括以下步骤：S0、提供晶圆，所述晶圆表面带有碳膜；S1、对S0所述晶圆表面进行化学机械抛光。本发明用于晶圆高温激活退火表面保护碳膜的去除，具有退膜时间短、可操作性强的优点，能够根本上解决因高温退火带来的表面硅析出与粗糙度增加问题，碳膜去除干净，无污染；以碳化硅为例，去除碳膜的同时将SiC材料表面浅层去除有利于解决Al离子注入后SiC材料表面并非Al离子浓度最高处导致器件欧姆接触并非最优化的问题，有效降低欧姆接触的导通电阻，优化产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 表面 保护 去除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：S0、提供晶圆，所述晶圆表面带有碳膜；S1、对S0所述晶圆表面进行化学机械抛光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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