[发明专利]一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法

权利要求书

1.一种用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：

S0、提供晶圆，所述晶圆表面带有碳膜；

S1、对S0所述晶圆表面进行化学机械抛光；

其中，衬底在高温激活退火前，经过高温离子注入且晶圆表层的离子浓度不是峰值，晶圆表层并非注入离子浓度最高层；

所述步骤S1中，采用化学机械抛光工艺去除了碳膜以及晶圆表面厚度不超过100nm的浅表层，该浅表层的材料为SiC；在碳膜去除时，碳膜覆盖在该浅表层，浅表层的去除工艺与碳膜的去除工艺相同；

在所述步骤S0之后，在所述步骤S1之前，包括步骤S01、对晶圆进行机械研磨；

在步骤S1中，晶圆材料为Sic。

2.根据权利要求1所述的用于晶圆表面保护碳膜的去除方法，其特征在于，所述晶圆可制备成PiN二极管、肖特基二极管、门极可关断晶闸管、绝缘栅双极型晶体管或金属氧化物场效应晶体管。