[发明专利]一种III-VI族异质结太阳能电池材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910329408.6 申请日: 2019-04-23
公开(公告)号: CN109898053B 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 萨百晟;孙媛;陈建辉;温翠莲;蔡书畅 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;C23C14/34;H01L21/02;H01L31/0264;H01L31/072;H01L31/18
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种III‑VI族异质结太阳能电池材料的制备方法,其是将K9玻璃作为基片衬底作为阳极,以块体材料作为靶材放在阴极,在Ar气保护下于一定功率开始溅射沉积。溅射结束在基片衬底上沉积一层薄膜后,更换靶材材料,进行第二次沉积。最后将玻璃基片置于无水乙醇和去离子水中前后清洗去除杂质后,干燥即可得到所述的片状III‑VI族异质结太阳能电池材料。本发明具有制备工艺简单,可重复性强,成品率高,成本低等优点,从而可用于太阳能电池电极材料,促进能源问题的解决。
搜索关键词: 一种 iii vi 族异质结 太阳能电池 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种III‑VI族异质结太阳能电池材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)取一定大小的K9玻璃作为基片衬底,用加清洁剂的去离子水清洗干净之后,依次用丙酮、无水乙醇、去离子水各超声清洗10min,然后烘干;(2)将K9玻璃基片放在沉积室内的阳极上,对应的块体材料InS或GaSe作为靶材放在阴极上,两者之间相距70~80mm;(3)将沉积室抽真空至5~10×10‑3Pa后,加入高纯度的Ar气作为溅射气体使腔室内压力稳定在1~5Pa,Ar气体流量设定为30~40mL/min;(4)开冷却水,然后开始溅射沉积,设定溅射功率50~150W,电源电压50~100V;(5)溅射结束后,自然冷却并开启阀门,更换块体材料GaTe作为靶材;(6)重复步骤(3)~(4),直至沉积结束;(7)将玻璃基片取出放在无水乙醇和去离子水中前后清洗去除杂质后,于60~80℃下干燥3~5小时,即可得到InS/GaTe或GaSe/GaTe异质结太阳能电池材料。
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