[发明专利]一种III-VI族异质结太阳能电池材料的制备方法

权利要求书

1.一种III-VI族异质结太阳能电池材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）取一定大小的K9玻璃作为基片衬底，用加清洁剂的去离子水清洗干净之后，依次用丙酮、无水乙醇、去离子水各超声清洗10min，然后烘干；

（2）将K9玻璃基片放在沉积室内的阳极上，对应的块体材料InS或GaSe作为靶材放在阴极上，两者之间相距70～80mm；

（3）将沉积室抽真空至5×10^-3～10×10^-3Pa后，加入高纯度的Ar气作为溅射气体使腔室内压力稳定在1～5Pa，Ar气体流量设定为30～40mL/min;

（4）开冷却水，然后开始溅射沉积，设定溅射功率50～150W，电源电压50～100V；

（5）溅射结束后，自然冷却并开启阀门，更换块体材料GaTe作为靶材；

（6）重复步骤(3)～(4),直至沉积结束；

（7）将玻璃基片取出放在无水乙醇和去离子水中前后清洗去除杂质后，于60～80℃下干燥3～5小时，即可得到InS/GaTe或GaSe/GaTe异质结太阳能电池材料。

2.如权利要求1所述一种III-VI族异质结太阳能电池材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中的丙酮、无水乙醇的体积浓度均达98%。

3.如权利要求1所述一种III-VI族异质结太阳能电池材料的制备方法，其特征在于：块体材料InS、GaSe、GaTe的纯度达99.99%。