[发明专利]图像传感器有效
| 申请号： | 201910326602.9 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110620122B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 金知晃;吴琼硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其具有第一区域和第二区域；隔离区域，其填充部分地穿透半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由隔离区域限定，并在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及多个微透镜，其分别对应于多个光电转换区域，并且在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第二六边形阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：/n半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；/n隔离区域，所述隔离区域填充了部分地穿透所述半导体衬底的隔离沟槽；/n多个光电转换区域，所述多个光电转换区域由所述隔离区域限定，并在与所述半导体衬底的表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及/n多个微透镜，所述多个微透镜分别对应于多个光电转换区域，并在与所述半导体衬底的所述表面平行的所述平面上形成第二六边形阵列。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
