[发明专利]图像传感器

说明书

提供了一种图像传感器，其包括：半导体衬底，其具有第一区域和第二区域；隔离区域，其填充部分地穿透半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由隔离区域限定，并在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及多个微透镜，其分别对应于多个光电转换区域，并且在与半导体衬底的表面平行的平面上形成第二六边形阵列。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0069629的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。

技术领域

本发明构思涉及图像传感器，更具体地，涉及具有微透镜的图像传感器。

背景技术

图像传感器捕获从对象反射的光波并将光波转换成电信号以产生图像。图像传感器用在诸如数码相机、移动电话的相机和便携式摄像机的消费电子产品中，以及用在安装于车辆、安全装置和机器人中的相机中。

通常，图像传感器通过半导体制造工艺制造。图像传感器可以包括光感测器件、被配置为控制光感测器件的晶体管以及被配置为驱动像素阵列的电路。背照式图像传感器是一种数字图像传感器，在背照式图像传感器中，晶体管和布线层形成在半导体层的其中形成了光感测器件的一个表面上，并且光入射在半导体层的另一表面上。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种图像传感器，所述传感器包括：半导体衬底，其具有第一区域和第二区域；隔离区域，其填充部分地穿透所述半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由所述隔离区域限定，并在与所述半导体衬底的表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及多个微透镜，其分别对应于多个光电转换区域，并在与所述半导体衬底的所述表面平行的平面上形成第二六边形阵列。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底；隔离区域，其包括绝缘衬垫和导电掩埋层，其中，所述绝缘衬垫覆盖穿透所述半导体衬底的隔离沟槽的内壁，并且所述导电掩埋层设置在所述隔离沟槽中的所述绝缘衬垫上；多个光电转换区域，其由所述隔离区域限定，并在与所述半导体衬底的第一表面平行的平面上形成第一六边形阵列；以及多个微透镜，其分别对应于多个光电转换区域，并在与所述半导体衬底的所述第一表面平行的平面上形成第二六边形阵列。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底；隔离区域，其填充部分地穿透所述半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由所述隔离区域限定，并在与所述半导体衬底的第一表面平行的平面上形成第一六边形阵列；多个微透镜，其分别对应于所述多个光电转换区域，并且在与所述半导体衬底的所述第一表面平行的平面上形成第二六边形阵列；位于所述半导体衬底的第二表面上的内部布线结构，所述内部布线结构具有多个堆叠层；以及位于所述半导体衬底的所述第二表面上的层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述内部布线结构，其中，第一微透镜的在与所述半导体衬底的所述第一表面平行的平面上的中心和对应于所述第一微透镜的第一光电转换区域的在与所述半导体衬底的所述第一表面平行的平面上的中心沿着与所述半导体衬底的所述第一表面垂直的方向彼此重合。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：半导体衬底，其具有第一区域和第二区域；隔离区域，其填充部分地穿透所述半导体衬底的隔离沟槽；多个光电转换区域，其由所述隔离区域限定，并在与所述半导体衬底的表面平行的平面上形成第一阵列；以及多个微透镜，其分别对应于所述多个光电转换区域，并在与所述半导体衬底的所述表面平行的平面上形成第二阵列，其中，在所述第一区域中，第一光电转换区域的中心和对应于所述第一光电转换区域的第一微透镜的中心沿着与所述半导体衬底的所述表面垂直的方向彼此重叠，并且在所述第二区域中，第二光电转换区域的中心和对应于所述第二光电转换区域的第二微透镜的中心沿着与所述半导体衬底的所述表面垂直的所述方向不彼此重叠。

附图说明