[发明专利]一种堆栈结构的激光触发大功率半绝缘AlGaN/GaN开关

摘要

本发明公开了一种堆栈结构的激光触发大功率半绝缘AlGaN/GaN开关，包括SiC衬底、GaN基层、厚度不均匀的AlGaN层、高浓度GaN掺杂层和欧姆接触金属层，GaN基层与AlGaN层构成势阱结构，不同厚度的AlGaN层堆栈结构通过刻蚀实现，掺杂层为AlGaN层上生长的一层高掺杂浓度n+‑GaN层，n+‑GaN掺杂层表面淀积有欧姆接触金属层，堆栈结构可以实现电极间电场的均匀分布，不同的AlGaN层厚度周期结构可以提高载流子迁移率；本发明的堆栈结构激光触发大功率半绝缘AlGaN/GaN开关的工作电压达到42kV，导通电阻为22Ω，可以拓展其在固态脉冲功率领域应用。

主权项

1.一种堆栈结构的激光触发大功率半绝缘AlGaN/GaN开关，其特征在于包括： SiC衬底、GaN基层、厚度不均匀的AlGaN层、高浓度GaN掺杂层和欧姆接触金属层；所述GaN基层与AlGaN层构成势阱结构，所述AlGaN层通过MOCVD的方法外延生长在所述GaN基层上，不同厚度的AlGaN层堆栈结构通过刻蚀实现；所述掺杂层为AlGaN层上生长的一层高掺杂浓度n⁺‑GaN层，所述n+‑GaN掺杂层表面淀积有欧姆接触金属层，所述堆栈结构可以实现电极间电场的均匀分布，不同的AlGaN层厚度周期结构可以提高载流子迁移率。