[发明专利]存储元件的制造方法有效
| 申请号： | 201910323101.5 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111834301B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 朴哲秀;陈明堂;柯顺祥 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储元件的制造方法，其步骤如下。在位线结构之间的基底上形成第一介电层。在第一介电层中形成多个第一沟槽。将第二介电层填入第一沟槽中。移除部分第一介电层，使得第一介电层的顶面低于第二介电层的顶面。形成第一掩膜层，其覆盖第一与第二介电层的顶面。进行第一蚀刻工艺，以于第一介电层中形成多个第二沟槽。将第三介电层填入第二沟槽中。移除第一介电层，以于第二介电层与第三介电层之间形成多个接触窗开口。将导体材料填入接触窗开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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