[发明专利]存储元件的制造方法

说明书

本发明提供一种存储元件的制造方法，其步骤如下。在位线结构之间的基底上形成第一介电层。在第一介电层中形成多个第一沟槽。将第二介电层填入第一沟槽中。移除部分第一介电层，使得第一介电层的顶面低于第二介电层的顶面。形成第一掩膜层，其覆盖第一与第二介电层的顶面。进行第一蚀刻工艺，以于第一介电层中形成多个第二沟槽。将第三介电层填入第二沟槽中。移除第一介电层，以于第二介电层与第三介电层之间形成多个接触窗开口。将导体材料填入接触窗开口中。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件的制造方法，尤其涉及一种存储元件的制造方法。

背景技术

动态随机存取存储器属于一种易失性存储器，其是由多个存储单元所构成。详细地说，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容器所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电性连接。为提升动态随机存取存储器的积集度以加快元件的操作速度，并符合消费者对于小型化电子装置的需求，近年来发展出埋入式字线动态随机存取存储器(buried word line DRAM)，以满足上述种种需求。

随着科技的进步，各类电子产品皆朝向轻薄短小的趋势发展。然而，在这趋势之下，DRAM的临界尺寸亦逐渐缩小，其导致DRAM的工艺将面临许多挑战。

发明内容

本发明提供一种存储元件的制造方法，其可精准地控制电容器接触窗的临界尺寸，进而提升存储元件的可靠度。

本发明提供一种存储元件的制造方法，其步骤如下。在基底中形成多个隔离结构，以将基底分隔成多个有源区。在基底中形成多个字线组，字线组沿着Y方向延伸并穿过隔离结构与有源区。在基底上形成多个位线结构，位线结构沿着X方向延伸并横跨字线组。在位线结构之间的基底上形成第一介电层。在第一介电层中形成多个第一沟槽，其分别对应字线组。将第二介电层填入第一沟槽中。移除部分第一介电层，使得第一介电层的顶面低于第二介电层的顶面。形成第一掩膜层，其地覆盖第一介电层的顶面与第二介电层的顶面。以第一掩膜层为掩膜，进行第一蚀刻工艺，以于第一介电层中形成多个第二沟槽。将第三介电层填入第二沟槽中。移除第一介电层，以于第二介电层与第三介电层之间形成多个接触窗开口。将导体材料填入接触窗开口中。

基于上述，本发明通过先形成第一介电层，再于第一介电层中形成第二介电层与第三介电层。之后移除第一介电层以形成多个接触窗开口。接着将导体材料填入接触窗开口中，以形成多个电容器接触窗。也就是说，本发明通过镶嵌法来形成电容器接触窗，其可简化电容器接触窗的制造方法并精准地控制电容器接触窗的临界尺寸。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明的一实施例的存储元件的上视示意图；

图2A至图2L是沿着图1的A-A’线段的存储元件的制造流程的剖面示意图；

图3A至图3L是沿着图1的B-B’线段的存储元件的制造流程的剖面示意图。

具体实施方式

参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而，本发明亦可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的标号表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。

图1是本发明的一实施例的存储元件的上视示意图。以下实施例所述的存储元件是以动态随机存取存储器(DRAM)为例来进行说明，但本发明不以此为限。

请参照图1，本实施例提供一种存储元件包括：基底100、多个隔离结构101、多个有源区AA、多个位线结构102、多个字线组202以及多个电容器接触窗CC1、CC2。为图面清楚起见，图1仅显示上述构件，其他构件可见于后续图2A-图2L与图3A-图3L的剖面图。