[发明专利]具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件有效
| 申请号： | 201910316577.6 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN109888007B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 易波;蔺佳;杨瑞丰;彭一峰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 陈选中 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件，通过将P型半导体基区分割成多个区域，并且在不同区域引入两个或三个串联二极管，使得器件在反向耐压时，P型电场屏蔽区电位升高至两个或三个二极管的导通压降后，二极管导通，P型电场屏蔽区的电位被钳位在两个或三个二极管导通压降附近，所以N型载流子存储区的电位被P型电场屏蔽区很好地屏蔽在很低的值，器件的耐压将主要由P型电场屏蔽区和表面耐压区构成的反偏二极管承受，从而彻底打破了击穿电压和N型载流子层浓度之间的矛盾关系。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二极管 载流子 存储 soi ligbt 器件 | ||
【主权项】：
1.具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件，其特征在于，包括半导体衬底(1)、位于半导体衬底(1)上的埋氧层区(2)以及位于所述埋氧层区(2)上的半导体层；所述半导体层包括P型半导体基区(3)、栅极区、N型载流子存储区(6)、表面耐压区(7)、P型电场屏蔽区(13)、N型半导体缓冲区(15)以及P型集电区(16)，所述P型半导体基区(3)和栅极区位于半导体层一侧，所述N型半导体缓冲区(15)位于半导体层另一侧，所述N型载流子存储区(6)位于P型半导体基区(3)旁，所述P型电场屏蔽区(13)位于栅极区旁，所述表面耐压区(7)位于N型载流子存储区(6)、P型电场屏蔽区(13)和N型半导体缓冲区(15)之间，所述P型集电区(16)设置于N型半导体缓冲区(15)顶部一侧。
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