[发明专利]一种具有高击穿强度的芳杂环聚酰胺复合薄膜及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910315119.0 申请日: 2019-04-18
公开(公告)号: CN109942810B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 刘向阳;戴宇;罗龙波;王旭;刘洋;朱波;刘昌莉 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C08G69/32 分类号: C08G69/32;C08J5/18;C08L77/10;C08L51/10;C08F292/00;C08F220/02
代理公司: 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 代理人: 李高峡;张娟
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种芳香族聚酰胺,所述芳香族聚酰胺是以芳香族二胺和芳香族二酰氯反应得到的酰胺为重复结构单元,分子链两端为烯基的聚合物;所述芳香族聚酰胺的结构为:本发明还提供了一种以上述芳香族聚酰胺为原料制备的复合薄膜。本发明制备得到的复合薄膜交联密度高、热膨胀系数低,薄膜内部非常均匀致密,不存在明显缺陷,其击穿强度和拉伸强度显著提升。此外,本发明提供的制备复合薄膜的方法工艺简单,制备效率高,适合工业化大规模生产,具有很好的应用前景。
搜索关键词: 一种 具有 击穿 强度 芳杂环 聚酰胺 复合 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种芳香族聚酰胺,其特征在于:所述芳香族聚酰胺是以芳香族二胺和芳香族二酰氯反应得到的酰胺为重复结构单元,分子链两端为烯基的聚合物;所述芳香族聚酰胺的结构为:其中,为所述芳香族二胺两端各去掉一个氢原子后剩余的基团,为所述芳香族二酰氯两端各去掉一个氯原子后剩余的基团,为所述重复结构单元,D、E各自独立地选自其中,L选自0‑6个亚甲基;m、n为聚合度,m、n各自独立地选自20‑200。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910315119.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top