[发明专利]一种AlGaN基3D倒装焊MSM阵列紫外探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种AlGaN基3D倒装焊MSM阵列紫外探测器的制备方法，属于半导体技术领域，包括：(1)在衬底上外延生长Al_XGa_1‑XN紫外光吸收层；(2)在Al_XGa_1‑XN紫外光吸收层上进行光刻，形成沟槽；(3)在Al_XGa_1‑XN紫外光吸收层的沟槽内沉积叉指电极；(4)对衬底背面进行抛光；(5)在基板上采用版图制作基板电路；(6)在基板电路上制作焊接微凸点；(7)把紫外探测器倒转，将叉指电极两端的pad区域与微凸点焊连；本发明制作工艺简单，倒装焊技术成熟，成本低，易于实施，可以大规模推广；本发明通过叉指电极沉积在吸收层内部沟槽中，减少了光生载流子迁移时间，在外加电场作用下，提高载流子的迁移速度和收集效率，从而提高探测器的灵敏度，降低响应时间。

主权项

1.一种AlGaN基3D倒装焊MSM阵列紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长Al_XGa_1‑XN紫外光吸收层；(2)在Al_XGa_1‑XN紫外光吸收层上进行光刻，刻蚀沟槽；(3)在Al_XGa_1‑XN紫外光吸收层的沟槽内沉积叉指电极，叉指电极包括左边叉指电极、右边叉指电极，两叉指电极两端都设有大面积pad区域，得到紫外探测器；(4)对衬底背面进行抛光；(5)在基板上采用版图制作基板电路；(6)在基板电路上制作焊接微凸点；(7)把紫外探测器倒转，将叉指电极两端的pad区域与微凸点焊连，在基板电路上焊接多个紫外探测器，得到所述AlGaN基3D倒装焊MSM阵列紫外探测器。