[发明专利]外延GeSi量子点的方法有效
| 申请号： | 201910307554.9 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN111834206B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;徐然;邓震;贾海强;王文新;王森;李欣欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/205;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延GeSi量子点的方法，包括如下步骤：步骤1)在硅衬底上采用光刻结合湿法腐蚀技术制备截顶倒置金字塔图形，得到图形衬底；所述截顶倒置金字塔的四个侧面的晶面为(111)面；步骤2)去除所述图形衬底上湿法腐蚀的掩膜并清洗所述图形衬底；步骤3)将所述图形衬底置于外延生长装置中，在所述截顶倒置金字塔图形衬底上直接异质外延GeSi量子点；步骤4)在所述GeSi量子点上外延硅盖层。本发明提供的方法同时规避了干法刻蚀会损伤衬底表面以及湿法腐蚀制备图形衬底的特征尺寸过大导致生长的量子点特征尺寸过大的缺点。采用本发明提供的方法所生长的量子点大小一致，同时量子点的位置高度对称，实现了量子点生长的四倍频。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 gesi 量子 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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