[发明专利]一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法，其化学组成的表达式为xZnO‑yAl2O3‑mSiO2‑nSrTiO3，其中38mol％≤x≤64mol％，6mol％≤y≤9mol％，26mol％≤m≤50mol％，0≤n≤7mol％，x+y+m+n＝1。其制备方法包括以下步骤：(1)陶瓷中间体粉料的制备；(2)xZnO‑yAl2O3‑mSiO2‑nSrTiO3陶瓷的制备。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为6.4～8.2，品质因数大于9,346GHz，谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。

主权项

1.一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷，其特征在于，其化学组成的表达式为xZnO‑yAl₂O₃‑mSiO₂‑nSrTiO₃，其中38mol％≤x≤64mol％，6mol％≤y≤9mol％，26mol％≤m≤50mol％，0≤n≤7mol％，x+y+m+n＝1。