[发明专利]一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910307083.1 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN110066169B 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 胡星;黄新杰;凌志远;陈玉辉 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/14;C04B35/622
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 硅基低 介电常数 微波 介质 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷,其特征在于,其化学组成的表达式为xZnO-yAl2O3-mSiO2-nSrTiO3,其中38mol%≤x≤54mol%,6mol%≤y≤8mol%,36mol%≤m≤50mol%,0<n≤7mol%,x+y+m+n=1;

所述氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷的制备方法包括如下步骤:

(1)按化学组成的表达式xZnO-yAl2O3-mSiO2的化学计量比称取ZnO、Al2O3、SiO2,混合,球磨,烘干,预烧后得xZnO-yAl2O3-mSiO2陶瓷中间体粉料;

(2)按所述微波介质陶瓷的化学组成的表达式xZnO-yAl2O3-mSiO2-nSrTiO3的化学计量比称取xZnO-yAl2O3-mSiO2陶瓷中间体粉料和SrTiO3粉料,混合,球磨,烘干,添加粘结剂造粒,模压成型,烧结,得所述微波介质陶瓷;

步骤(1)中的预烧温度为1100~1200℃,预烧的气氛为空气,预烧的时间为1~6小时;

步骤(2)中烧结的温度为1180~1300℃,烧结的气氛为空气气氛,烧结的时间为1~6小时;

步骤(2)中添加的粘结剂的量为xZnO-yAl2O3-mSiO2陶瓷中间体粉料质量的5~10%;

所述粘结剂为质量浓度5~10%的聚乙烯醇溶液。

2.一种如权利要求1所述氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)按化学组成的表达式xZnO-yAl2O3-mSiO2的化学计量比称取ZnO、Al2O3、SiO2,混合,球磨,烘干,预烧后得xZnO-yAl2O3-mSiO2陶瓷中间体粉料;

(2)按所述微波介质陶瓷的化学组成的表达式xZnO-yAl2O3-mSiO2-nSrTiO3的化学计量比称取xZnO-yAl2O3-mSiO2陶瓷中间体粉料和SrTiO3粉料,混合,球磨,烘干,添加粘结剂造粒,模压成型,烧结,得所述微波介质陶瓷;

步骤(1)中的预烧温度为1100~1200℃,预烧的气氛为空气,预烧的时间为1~6小时;

步骤(2)中烧结的温度为1180~1300℃,烧结的气氛为空气气氛,烧结的时间为1~6小时;

步骤(2)中添加的粘结剂的量为xZnO-yAl2O3-mSiO2陶瓷中间体粉料质量的5~10%;

所述粘结剂为质量浓度5~10%的聚乙烯醇溶液。

3.根据权利要求2所述的氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的ZnO、Al2O3、SiO2的纯度为99%以上。

4.根据权利要求2所述的氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的球磨为湿式球磨,球磨时间为30~120分钟。

5.根据权利要求2所述的氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的球磨为湿式球磨,球磨时间为30~120分钟。

6.根据权利要求2所述的氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤(1)和步骤(2)中所述的球磨采用的是行星球磨仪。

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