[发明专利]超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法

摘要

本发明公开了一种超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法，所述超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的每个六角锥图形表面具有6~10个高指数晶面，所述纳米柱的直径为10‑50nm，其制备方法包括如下步骤：（1）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的制备；（2）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的清洗；（3）分子束外延方法生长GaAs纳米柱。解决了分子束外延在无金属催化剂、无掩膜的GaAs衬底表面难以制备高度有序、高密度的GaAs和InGaAs纳米柱和高性能纳米柱结构太阳电池器件的问题。制备超多晶面图形化GaAs衬底采用的湿法蚀刻设备简单，操作方便；生长纳米柱的MBE工艺简单、过程安全、无污染。

主权项

1.超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱，其特征在于，所述超多晶面六角锥图形化GaAs衬底是指在平片GaAs晶圆的表面蚀刻出凸起和凹坑图形阵列，所述凸起和凹坑构成六角锥；在六角锥图形表面生长有纳米柱。