[发明专利]半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器有效
| 申请号： | 201910297033.X | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110086080B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 程洋;王俊;赵智德;谭少阳 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 罗啸 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器，该制备方法包括：在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源；对生长有扩散源的晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口。通过实施本发明，在射频电场的作用下，轰击离子会轰击晶圆片表面，在无保护层的扩散源内部产生空位缺陷，富As的环境有利于外延层中的Ga、Al原子向扩散源中扩散，并在扩散源内部同As原子相结合，同时在外延层中留下空位。外延层中空位的增多能够促进杂质向下扩散，提高杂质向下扩散的浓度与深度，减小扩散温度和扩散时间，提高器件的可靠性，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 吸收 窗口 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，包括：在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源；对生长有扩散源的所述晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口。
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