[发明专利]半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器有效
| 申请号： | 201910297033.X | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110086080B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 程洋;王俊;赵智德;谭少阳 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/34 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 罗啸 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 吸收 窗口 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源；
对生长有扩散源的所述晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述对生长有扩散源的所述晶圆在包含射频电场、砷气氛及轰击离子的环境中退火，形成非吸收窗口包括：
将生长有扩散源的所述晶圆置于包含射频电场的扩散炉中；
在所述扩散炉中通入包含砷及轰击离子的混合气氛；
以预设压力和预设温度对所述晶圆进行退火，形成所述非吸收窗口。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述预设压力为10－1000Pa，所述预设温度为350℃－600℃。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源包括：
在半导体激光器晶圆片的上表面形成第一保护层；
图形化所述第一保护层，形成所述待扩散区域；
在所述待扩散区域和所述第一保护层表面生长所述扩散源。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述图形化所述第一保护层，形成所述待扩散区域包括：
采用光刻和刻蚀工艺，在所述晶圆片上表面形成条形所述第一保护层；
采用刻蚀工艺，去除晶圆片上表面未覆盖所述第一保护层的部分晶圆片。
6.根据权利要求4所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，在所述待扩散区域和所述第一保护层表面生长所述扩散源之后，还包括：
在生长扩散源表面上沉积第二保护层；
采用刻蚀工艺，去除待扩散区域表面的第二保护层。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，在所述对生长有扩散源的所述晶圆在射频电场中退火，形成非吸收窗口之后，还包括：
去除晶圆片表面的第一保护层、未扩散的扩散源和第二保护层。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法，其特征在于，所述在半导体激光器晶圆的待扩散区域生长扩散源包括：
在砷气氛中生长所述扩散源。
9.一种半导体激光器非吸收窗口，其特征在于，所述非吸收窗口采用如权利要求1－8任一项所述的半导体激光器非吸收窗口的制作方法制备。
10.一种半导体激光器，其特征在于，包括如权利要求9所述的半导体激光器非吸收窗口。
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