[发明专利]冷却腔室、ALN缓冲层生长工艺设备和冷却处理的方法有效
| 申请号： | 201910289447.8 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110079781B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郭冰亮;董博宇;武学伟;马迎功;赵晨光;武树波;杨依龙;李新颖;李丽;宋玲彦;张璐;陈玉静;刘玉杰;张家昊 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 左文;段志慧 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种冷却腔室、ALN缓冲层生长工艺设备和采用冷却腔室进行冷却处理的方法，其中的冷却腔室包括：腔室本体、设置在腔室本体内的水冷盘、托盘和调节机构；托盘用于承载晶片，水冷盘用于对托盘进行降温；调节机构用于调节托盘与水冷盘之间的距离。本发明的冷却腔室、设备以及冷却处理方法，能够提高托盘和晶片冷却的温度均匀性，保证工艺结果的稳定性和一致性，可以将托盘在不破碎的情况下冷却至较低温度；可以再更少的时间内达到目标温度，提高设备的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却 aln 缓冲 生长 工艺设备 处理 方法 | ||
【主权项】：
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